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全极低电压高频率HAL253霍尔效应传感器是一个稳定的温度，耐应力开关。优异的高温性能，通过动态偏移取消利用斩波稳定可能。这种方法降低偏移电压通常由装置在成型，温度依赖性，和热应力。

包括一个单一的硅芯片：电压调节器，霍尔电压发生器，小信号放大器，施密特触发器，斩波稳定，开漏输出。先进的CMOS晶圆制造加工利用的低电压要求，部件匹配，非常低的输入偏置误差，和小构件几何。

全极低电压高频率HAL253霍尔效应传感器额定环境温度–40℃+ 120℃为E之间的温度范围内操作。可用的四种封装类型为大多数应用提供磁性优化的解决方案。封装类型，是采用SOT - 23（1.1毫米公称高度），广场是一个qfn2020-3（0.55毫米公称高度），一个微型低调的表面贴装封装，在封装UA一三引脚超小型SIP通孔安装。

 

全极低电压高频率HAL253霍尔效应传感器应用领域

CMOS霍尔IC技术

l固态可靠性优于簧片开关

l全极输出开关与北极或南极从磁铁

l低功耗（初步）   簧片开关更换高灵敏度

100%在125 K.l℃测试  小尺寸

lESD HBM 4KV分钟±    成本竞争

固态开关 电源设备l盖子关闭传感器

l磁铁接近传感器在高占空比应用簧片开关更换。 安全关键的运动器材

l转数计数器  速度传感器  位置传感器

l旋转传感器  安全的关键

 

全极低电压高频率HAL253霍尔效应传感器深圳霍尔微原厂提供

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