ST意法 STP10NK60Z 晶体MOS管

STP10NK60Z  MOS管

FET 类型  N 沟道

技术  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）70nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1370pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能  -

功率耗散（最大值）115W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）750 毫欧 @ 4.5A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型  通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

STP10NK60Z 晶体管

晶体MOS管

应用

■切换应用程序

描述

这些器件采用N沟道齐纳保护

功率MOSFET开发使用

意法半导体的SuperMESH™技术，

通过优化意法半导体的成功实现

基于条带的PowerMESH™布局。 在

除了显着减少电阻，

此设备旨在确保a

最高级别的dv / dt能力

苛刻的应用。

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1370pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能  -

功率耗散（最大值）115W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）750 毫欧 @ 4.5A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型  通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

STP10NK60Z 晶体管

晶体MOS管  场效应管  晶体MOS管  场效应管

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