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ST意法 STP10NK60Z 晶体MOS管

ST意法 STP10NK60Z 晶体MOS管
ST意法 STP10NK60Z 晶体MOS管
  • 型号/规格:

    STP10NK60Z

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 极性:

    NPN型

VIP会员 第 8
  • 企业名:深圳市波光电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 15817467967
    13302940566

    手机:15817467967
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    联系人:马先生/马先生

    QQ: QQ:383204303QQ:2853810249

    微信:

    邮箱:383204303@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路宝华大厦1701

商品信息 更新时间:2018-04-10

ST意法 STP10NK60Z 晶体MOS管

STP10NK60Z  MOS管

FET 类型  N 沟道

技术  MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)70nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10V

Vgs(最大值)±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1370pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds25V

FET 功能  -

功率耗散(最大值)115W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)750 毫欧 @ 4.5A,10V

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型  通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

STP10NK60Z 晶体管

晶体MOS管

应用

■切换应用程序

描述

这些器件采用N沟道齐纳保护

功率MOSFET开发使用

意法半导体的SuperMESH™技术,

通过优化意法半导体的成功实现

基于条带的PowerMESH™布局。 在

除了显着减少电阻,

此设备旨在确保a

最高级别的dv / dt能力

苛刻的应用。


专营原装正品:三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等



Vgs(最大值)±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1370pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds25V

FET 功能  -

功率耗散(最大值)115W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)750 毫欧 @ 4.5A,10V

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型  通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

STP10NK60Z 晶体管

晶体MOS管  场效应管  晶体MOS管  场效应管



联系方式

企业名:深圳市波光电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 15817467967
13302940566

手机:15817467967
13302940566

联系人:马先生/马先生

QQ: QQ:383204303QQ:2853810249

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邮箱:383204303@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强北路宝华大厦1701

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