制造商编号：STQ1HNK60R-AP
制造商： STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
配置: Single 
高度: 4.95 mm 
长度: 4.95 mm 
系列: STQ1HNK60R 
晶体管类型: 1 N-Channel 
宽度: 3.94 mm 
商标: STMicroelectronics 
下降时间: 25 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 5 ns 
工厂包装数量: 2000 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 19 ns 
典型接通延迟时间: 6.5 ns 
单位重量: 220 mg 

企业名：深圳市波光电子有限公司

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