制造商编号：STD12NF06LT4
制造商： STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm 
长度: 6.6 mm 
系列: STD12NF06LT4 
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET 
类型: MOSFET 
宽度: 6.2 mm 
商标: STMicroelectronics 
下降时间: 13 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 35 ns 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 20 ns 
典型接通延迟时间: 10 ns 
单位重量: 4 g

企业名：深圳市波光电子有限公司

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