K9F1208R0B
K9F1208B0B
K9F1208U0B
FL灰内存
64M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F1208R0B-G,J
K9F1208B0B-Y,P
K9F1208B0B-G,J
K9F1208U0B-Y,P
K9F1208U0B-G,J
K9F1208U0B-V,F
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.65 ~ 1.95V
2.5 ~ 2.9V
PKG型
FBGA
TSOP1
FBGA
TSOP1
FBGA
WSOP1
特点
•
电源
- 1.8V器件（ K9F1208R0B ） ： 1.65 〜 1.95V
- 2.7V器件（ K9F1208B0B ） ： 2.5 〜 2.9V
- 3.3V器件（ K9F1208U0B ） ： 2.7 〜 3.6 V
•
组织
- 存储单元阵列： （ 64M + 2048K ）位×8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x 8位
•
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
•
页面读取操作
- 页面尺寸： （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （值）
- 串行页面访问：为50ns （值）
（ * K9F1208R0B ：的tRC = 60ns的（） ）
•
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
•
命令/地址/数据多路复用I / O端口
•
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
•
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
•
命令寄存器操作
•
智能拷贝回
•
独特的ID为版权保护
•
包
- K9F1208X0B - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F1208X0B - GCB0 / GIB0
63-球的FBGA （8.5 ×13 ，1.0毫米宽）
- K9F1208U0B - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9F1208X0B - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
- K9F1208X0B - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
- K9F1208U0B - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
* K9F1208U0B - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
K9F1208U0B -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
所提供的64Mx8bit的K9F1208X0B是512M位有空余16M比特容量。该器件在1.8V ， 2.7V ， 3.3V的Vcc提供。其
NAND单元提供了成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。一种程序，就可以执行操作
在528字节页和擦除操作典型为200ps可在16K字节的块典型2ms的执行。在页数据
每字节循环时间：可在50ns （ 60ns的K9F1208R0B ）被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口
以及命令输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在那里
要求和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以利用的K9F1208X0B的
通过提供ECC （纠错码）与实时映射出算法的100K计划扩展可靠性/擦除周期。该
K9F1208X0B是对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携式应用程序的解决方案
阳离子需要非易失性
