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SAMSUNG K9F4G08UOB-PCBO FL灰内存 FLASH MEMOR

供应 SAMSUNG K9F4G08UOB-PCBO FL灰内存 FLASH MEMOR
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普通会员
  • 企业名:深圳市拓瑞鑫科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-33155759
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    手机:15989394037
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    联系人:朱先生/谭小姐

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    邮箱:1561497292@qq.com

    地址:广东深圳福田区上步工业区101栋409

商品信息 更新时间:2017-10-22

FEATURES • Voltage Supply - 2.70V ~ 3.60V • Organization - Memory Cell Array : (512M + 16M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit • Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte • Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 25μs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min.) 512M x 8 Bit / 1G x 8 Bit NAND Flash Memory • Fast Write Cycle Time - Page Program time : 200μs(Typ.) - Block Erase Time : 1.5ms(Typ.) • Command/Address/Data Multiplexed I/O Port • Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions • Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance : 100K Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC) - Data Retention : 10 Years • Command Driven Operation • Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC • Unique ID for Copyright Protection • Package : - K9F4G08U0A-PCB0/PIB0 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch) - K9F4G08U0A-ICB0/IIB0 52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch) - K9K8G08U1A-ICB0/IIB0 52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)

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