MBR20200CT
苏州固锝GOOD-ARK
ITO-220AB
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
20A
200V
电话：4008586100
SR5200
MW
DO-27
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
5
因产品型号、参数众多，店铺标明的价格非实际单价，请与客服联系。 可申请样品哦！详询客服。 请留意产品包装，下单需要按照包装的倍数下单方可安排！ 包装： 单盒：防震泡沫+单盒装...
电话：0592-5712416
肖特基管
TOSHIBA/东芝
ss14 ss12
锗(Ge)
小功率
贴片型
平面型
电压控制
你好！我司为厂家配套各种元器件（二三*管，IC，电容电阻，场效应管，光耦，开关，保险丝等）在福建省的厂家有需要请联系我司的厦门办事处刘先生：。L：，FAX：，"
电话：86 0592 7021072
是
肖特基管
否
其他
SR260
硅(Si)
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...
电话：86 0592 6021896
品牌:TRR/MW 型号:DSK210 应用范围:整流 正向直流电流IF:2（A） 反向电压:100（V）1) IF (*): 1A 2A 2) VRRM: 80 100 V3) Gl* P*ivated Chip4) Package t*e: SOD-123FLPart No. I(*)V(RRM)Case Style40V50V60V80V100V1ADSK14DSK15DSK16DSK18DSK110SOD-123FL2ADSK24DSK25DSK26DSK28DSK210
电话：0592-5712416
品牌:国产 型号:DSK110 应用范围:肖特基 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 正向直流电流IF:1（A） 反向电压:100（V）*小型贴片肖特基二*管 I（*): 1,2A V（RRM): 100V 封装形式：SOD-123FL 产品型号： DSK14---DSK110 DSK24---DSK210
电话：0592-5556644
是
肖特基管
否
MPUL
SR3100
硅(Si)
电流：3.0A；电压：100V
封装：DO-27
肖特基二*管（SCHOTTKY BARRIER RE*IFIERS）TYPEI(*)VRRMIFSMVFMIRM@VRRMCase Style@IRMVFMI(*)TA=25℃TA=100℃**AmAmASR3203.020800.553.01.010DO-27SR3303.030800.553.01.010DO-27S...
电话：0592-6219390
是
肖特基管
是
TOSHIBA/东芝
SS24
硅(Si)
肖特基二*管
SS24肖特基整流二*管二*管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二*管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二*管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二*...
电话：0592-5933267
肖特基管
否
TRR/MW
SS24
硅(Si)
整流
2A/40V
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers1) IF (*): 1A 2A 3A 4A 5A 8A2) VRRM: 100 V3) Gl* P*ivated Chip4) Package t*e: S* / SMC I(*)VRRMCase Style20V30V40V50V60V80V100V1A...
电话：0592-5712416
品牌:MHCHXM 型号:*R30100 应用范围:肖特基 结构:点接触型 材料:锗(Ge) 封装形式:功率型 封装材料:树脂封装 功率特性:大功率 正向工作电流:30（A） 反向电压:100（V）应用范围肖特基（）反向饱和漏电流10（μA）反向电压100（V）正向工作电流30（A）封装材料树脂封装装配方式通孔插装封装形式直插型型号*R30100品...
电话：592-5635946
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)...
据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择，其中七个采用 TO-220-2L 封装，五个采用表面贴装 DFN8×8 封装...
器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS...
如今，为了实现可持续发展和繁荣的社会，在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群，进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管，其最大额定值为650V/10A...
宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用混合PINSchottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温...
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物理极限。 本节简要介绍了所用芯片的技术...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些必须考虑的优点： 由于正向压降的显着正...
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般...
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极，用N型半导体材料为阴极，...
通常，异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS，其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率；然而，它是以增加电路和需要精确控制为代价的。 同步与异步升压转换器。图片由 Cadence提供 另一方面，可以通过不断改...
