BTA41-800BRG
STM
TOP-3
1825+
25000
制造商: STMicroelectronics 产品种类: 双向可控硅 系列: BTA41 不重复通态电流: 420 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 800 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 5 uA 开启状态电压:...
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STGF19NC60HD
ST
制造商: STMicroelectronics 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 商标: STMicroelectronics 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.8 V/1.6 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V 栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA 功率耗散: 35 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-220-3 FP 封装: Tube 集电极...
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BTA41-600B
ST
TO-220
普通型
直插式
散装
BT169D BT131-600 BT134-600D.E BT136-600E BT137-600E BT138-600E BT151-500R BTA06-600C BTA08-600C BTA10-600B BTA12-600B BTA16-600B BTA20-600B BTA26-600B BTA41-600B BTA41-70...
电话：0754-89962567
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SKKT162/16E
SEMIKRON（西门康）
公司有全新原装电源隔离模块 有需要IGBT 电源模块 欢迎询价23 杨 永信达伟业有限公司 永信达伟业有限公司是一家、大型的电子元器件独立分销机构。永联盛拥有先进的管理理念、可靠的产品质量和完善的服务体系，并且荣获多项国际。 永信达伟业的供应体系、丰富的行业经验以及与国内外的制造商和代理商的稳固合作关系，能够为...
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2*300P-140
富士
无铅*型
夲公司代理、经销各国SMD贴片，DIP直插电子元器件，二*管、三*管、稳压管、场效应管、三端稳压、IC集成电路、电容、电阻、电感、钽电容等产品。
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Z0109MA1AA2
ST
本公司以“*的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”，常年备有大量*原装现货和良好的进货渠道，品种*，具有较强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。 经营产品：开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、...
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*率
普通
N/A
三*
N/A（A）
带散热片
*频
TA8510F
深圳市金得利电子有限公司，成立1998年，主营IC、二三*管。电阻，电容等电子元器件。经过多年的努力与开拓现己具有*的规模实力公司。拥有*，本着“质量，信誉，客户至上...
电话：0755-82776339
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BTA16
ST
本公司主营SMD，DIP系列 电源管，大中小功率管，三，四，五端稳压管;达林顿，场效应，IGBT，BTS系列，肖特基，快恢复光耦，IC等电子元器件
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TP3067N
NS
若以相同引脚数目作为基准比较,采用*microSMDxt封装的高输入/输出模拟芯片占用了*少的电路板板面空间。此外,引进*的焊接球体结构,使多达100个焊球可以在0.5mm的间距之间分行排列,以*产品性能更为*,且无需采用底层填料也可*便携式电子产品*合热循环、热冲击、接点测试及柔性测试等*性的要求。深圳市易创宇科技有限公司 （）:...
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大功率
普通
二*
41（A）
不带散热片
中频
BTA41-800B
平底形
公司优势产品： 1.锂电池保护及配套IC:DW01+ 8205A/4054/4055/4056/TC3582B/DW02/*2101A 2、数字电路(TTL)：74HC，74LS，74H*，74LVC，74AH*系列 3、线性电路：LM，NE，LT，TL系列 4...
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大功率
高频(快速)
四极
1（A）
带散热片
超高频
2SC2166 2SC2237
平板形
买家必读： 1）所有标1元的产品只是一个链接，并不是产品的价格。请有需要的买家直接咨询业务QQ或者旺旺。也可以打进行进一步咨询!。 2）本公司销售功率模块可控硅、晶闸管，高频管，...
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BTA40-600B
ST
*供应BTA25-600B BTA25-700B BTA25-800B BTA40-600B BTA40-700B BTA40-800B等一系列可控硅 RD91封装 *国产ST 质量* 欢迎咨询！
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BTA41-600B
ST
本产品广泛应用于通讯类、电源类、消费类、电脑类、汽车电子及音响类、工业类、照明类等高科技行业 本公司专营，集成电路TI/BB TOS NS 钽电容.*X KEMET NEC ,电感. TDK MURATA 风华 并日， 电容.0 ,本公司专营大容量电容，全系列发光管，可控硅，可提供17％税票，普通*
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FF300R12KS4
英飞凌
1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)...
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