器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS...

InnoSwitch4-Pro系列反激式开关IC可实现效率超过95%、外形小巧、同时兼容USBPD和通用快充技术规范(UFCS)的适配器设计，并且输出功率高达220W 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司PowerIntegrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布推出InnoSwitch4-Pro系列可数字控制的离线...

STR6A100xV/xVD系列是功率MOSFET和电流模式PWM控制IC封装在一起的开关电源用功率IC。 为了提高全负载范围的效率，对应不同负载自动的切换绿色模式和间歇振荡模式。增强的保护功能，构成部品少，可以很容易构成高性价比的电源系统。 此次，...

该系列具有高性价比、小体积，高效，高功率密度等特点，满足IEC/UL/EN62368，EN60335/EN61558，GB4943，IEC/ES/EN60601等标准，可广泛应用在智能制造，医疗，家电/商电等领域，使用安全可靠，极具性价比。 一、产品优势如下 1）小体积，高功率密度...

根据市场对中大功率段电源需求，金升阳完善机壳开关电源产品线， 新推出600W 带主动式PFC功能AC/DC机壳电源——LMF600-20Bxx系列。 该系列具有小体积、宽工作温度范围（-40℃ to +70℃）等特点，满足IEC/UL/EN62368，EN60335/EN61558，GB4943，IEC/ES/EN60...

在最初设计阶段，首先要考虑开关电源的一些主要参数，这有助于设计者确 定自己所选的拓扑是否正确，也便于提前预定实验板所需的元器件。同时可以知 道接下来的设计所需的一些非常重 要的参数。关于如何对“黑箱”进 行估计，设计者只要知道设计指标 中的一些...

目前开关电源的设计有两种途径：从最底层开始设计和从数据手册上拷贝电 路的方法。目前市场上有很多很好的控制集成芯片，而且这些芯片的数据手册上 都有事先准备好的设计步骤。本书的目的是让读者对开关电源设计有更进一步深 入、扎实的理解。下面的设计例子...

耍捉高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的 损耗人致可分为四个方面：开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损 耗通常会在有损兀器件中同时出现，下liLI将分別讨论。　　3.4节的表3-3给出/乜关主要损耗的位置和程度。表屮...

在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。　　它们在高效硬开关拓扑中具有卓越的鲁棒性，使其成为实现千瓦级电源解决方案的功率因数校正 (PFC) 级...

开关电源是广泛应用于各种电子设备中的电源供应装置，常见故障可能包括以下几种：　　输出电压异常：开关电源输出电压异常可能是由于电容故障、稳压管损坏、反馈电路问题等原因导致的。可以通过测量输出端电压和波形来判断。　　过载保护触发：当开关电源输出...