产品：小信号肖特基二*管
　　型号：BAT60
　　VRRM：10V
　　P：310mW
　　贮存温度：-65 -150℃

BAT60封装

　　肖特基整流管*用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显*。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不*过100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能*低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
　　肖特基二*管的结构
　　肖特基二*管在结构原理上与PN结二*管有很大区别，它的内部是由阳*金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴*层及阴*金属等构成（如图1所示）。在N型基片和阳*金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳*金属接电源正*，N型基片接电源负*）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

 

　　

企业名：常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

类型：原厂制造商

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