XC61FN4212MR为内置延迟电路的电压检测器。采用CMOS工艺和激光微调技术，实现了高精度， 低电流消耗。检测电压精度高，且温度漂移极小。输出电路有N沟开漏和CMOS 2种。因内置延迟电路，所以不需要外置元件，可实现高密度安装。

　　XC61FN4212MR参数：

　　高电压检测精度：±2%

　　低消耗电流：1.0μA（TYP.）[VIN=2.0V]

　　检测电压范围：能够在1.6V~6.0V范围内以0.1V间隔设定

　　工作电压范围：0.7V~10.0V

　　检测电压温度特性：±100ppm/℃（TYP.）

　　内置延迟电路：1ms~50ms,50ms~200ms,80ms~400ms

　　输出形式：N沟道开漏/CMOS输出

　　小型封装：SOT-23, SOT-89, TO-92

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