RA08H1317M
MITSUBISHI
企业名:深圳市广辉电子有限公司
类型:
电话: 13686868407
手机:13686868407
联系人:陈树辉
微信:
邮箱:659974144@qq.com
地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室
∟ 其他IC(5)
供应135-175MHz,8w,12.5V射频放大模块RA08H1317M
FEATURES
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors
(IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>8W @ VDD=12.5V, VGG=3.5V, Pin=20mW
• hT>40% @ Pout=8W (VGG control), VDD=12.5V, Pin=20mW
• Broadband Frequency Range: 135-175MHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=3.5V
• Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain
current with the gate voltage and controlling the output power
with the input power
企业名:深圳市广辉电子有限公司
类型:
电话: 13686868407
手机:13686868407
联系人:陈树辉
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