供应LT5518EUF I/Q调制器1.5GHz–2.4GHz High Linearity Direct Quadrature Modulator

LT5518 是一种为高性能无线应用而设计的直接 I/Q 调制器，包括无线基础设施。它允许使用差分基带 I 和 Q 信号来对一个 RF 信号进行直接调制，它支持 PHS、GSM、EDGE、TD-SCDMA、CDMA、CDMA2000、W-CDMA 及其他系统。也可通过向I和 Q 输入端施加 90度 移相信号来把该器件配置成一个图像载波抑制上变频混频器。I/Q 基带输入包括电压至电流转换器，而这些转换器又负责驱动双平衡混频器。这些混频器的输出被相加并输送至一个片上 RF 变压器，该 RF 变压器将差分混频器信号转换为一个 50Ω 单端输出。I 和 Q 基带输入端口用于通过一个具有约 2.1V 共模电压电平的电源进行 直流 耦合。LO 通路包括一个具有单端输入的 LO 缓冲器和负责生成用于混频器的 LO 驱动电压的精准正交发生器。LT5518 特别针对 W-CDMA、TD-SCDMA、GSM 及 PHS 等高性能无线基础设施应用，但同时也适用于宽带固定无线接入、点到点无线链路及其它高性能无线电设备。LT5528 具有的一对匹配双平衡混频器形成载波抑制和镜像抑制的 I-Q（同相与正交相位）调制器。I 和 Q 输入从基带电路系统接受复杂的调制信号，并通过在相同频率上工作的 LO（本地振荡器）直接上变频至 R（射频）。
LT5518的电源电压范围为 4.5V 到 5.25V。
 
芯片主要性能：
•LT5518具有高输入阻抗形式;
•直接变换范围：1.5GHz—2.4GHz
•高OIP3：在2GHz是为22.8dBm
•20MHz偏移时的低输出躁声层：
无RF：-158.2dBm/Hz
=4dBm: -152.5dBm/Hz
•集成 LO 缓冲器和 LO 正交相位发生器
•4-Ch W-CDMA ACPR:在2.14GHz时为-64dBc
•50欧交流耦合、单端的LO和RF端口
•低载波漏放：在2GHz时为-49dBm
•高镜像频率抑制：在2GHz时为40dB
它采用 16 引脚 4mm × 4mm 表面贴 QFP 封装

High Input Impedance Version of the LT5528
Direct Conversion to 1.5GHz - 2.4GHz
High OIP3: 22.8dBm at 2GHz
Low Output Noise Floor at 20MHz Offset:
No RF: -158.2dBm/Hz
POUT = 4dBm: -152.5dBm/Hz
4-Ch W-CDMA ACPR: -64dBc at 2.14GHz
Integrated LO Buffer and LO Quadrature Phase Generator
50Ω AC-Coupled Single-Ended LO and RF Ports
Low Carrier Leakage: -49dBm at 2GHz
High Image Rejection: 40dB at 2GHz
16-Lead QFN 4mm × 4mm Package

2. LT5528 芯片封装与引脚功能
•EN（引脚1）：使能输入端.当EN电压大于1V时，IC导通。当输入端电压小于0.5V时，IC断开。
•GND（引脚2，4，6，9，10，12，15）：接地端。引脚6，9，15和17（裸露的垫片）在内部是互相连接的。引脚2和4在内部是互相连接的通过本振信号的地端回归。引脚10和12在内部是互相连接的是作为射频的平衡--不平衡变换器的地端回归。为了获得的射频表现，引脚2，4，6，9，10，12，15和17应该连接在印刷板地面层。
•LO（引脚3）：LO（本机震荡）输入端。本振输入是交流单向信号在射频输入上有近似50Ω的输入阻抗。为了避免打开ESD保护的二极管，外部提供的直流信号应在-0.5~0.5V范围内。
•BBPQ，BBMQ（引脚7.5）：基带输入处于Q通道，每个都有2.9KΩ的输入阻抗。内部偏置大约为2.06V。提供的电压必须小于2.5V。
•VCC（引脚8，13）电源端。引脚8和13在内部是互相连接的。在这些引脚上每个都
通过一个0.1μF的电容接地。
•RF（引脚11）：射频输出端。射频输出端是一个交流单向输出在射频输出上有一个大约50Ω的输出阻抗。为了避免打开ESD保护的二极管，外部提供的直流电压应在-0.5~0.5V范围内。
•BBPI，BBMI（引脚14，16）：基带输入处于I通道，每个都有45Ω的输入阻抗。内部偏置电压大约为0.525V。提供的电压必须小于2.5V。
•Exposed Pad（引脚17）：地回路。这个引脚必须焊接到印刷电路的地层面

 

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