是
isc
2SD1294
功率
硅(Si)
NPN型
平面型
TO-3PI
塑料封装
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：竺碧云
QQ： 
微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
∟ 功率三极管(87)∟ 开关三极管(2)∟ 低噪声三极管(74)∟ 复合(达林顿)三极管(6)∟ 其他三极管(3)
·Included Avalanche Diode-
: VZ= 60±15V
·High DC Current Gain
: hFE= 2000~20000@ IC= 0.5A, VCE= 5V
APPLICATIONS
·Power regulator for line operated TV applications.
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | 60±15 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | 60±15 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | 6 | V |
IC | Collector Current-Continuous | 5 | A |
ICM | Collector Current-Pulse | 20 | A |
PC | Collector Power Dissipation @ TC=25℃ | 80 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -55~150 | ℃ |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃unless otherwise specified
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | TYP. | MAX | UNIT |
V(BR)CBO | Collector-Base Breakdown Voltage | IC= 100mA; IE= 0 | 45 |
| 75 | V |
V(BR)CEO | Collector-Emitter Breakdown Voltage | IC= 100mA; IB= 0 | 45 |
| 75 | V |
VCE(sat)-1 | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= 0.5A; IB= 1mA |
|
| 1.5 | V |
VCE(sat)-2 | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= 1A; IB= 1mA |
|
| 2.5 | V |
VBE(on) | Base-Emitter On Voltage | IC= 0.5A; VCE= 5V |
|
| 1.8 | V |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= 6V; IC= 0 |
|
| 100 | μA |
hFE | DC Current Gain | IC= 0.5A; VCE= 5V | 2000 |
| 20000 |
|
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企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：竺碧云
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邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
