英飞凌（1nfineon）公司在功率半导体市场一直致力于**的功率器件开发，在*工业IGBT模块总量中占有21．4％的市场份额，位居第二位。前不久，该公司推出了在第三代逆向导通IGBT（*缘栅双*晶体管）（RC3）采用软开关的应用。

IGBT是MOSFET与双*晶体管的复合器件。它既有MosFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MosFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、*率应用中占据了主导*。

IGBT-F是为英飞凌（1nfineon）公司 FZ800R12KE3模快的开发的安装支架，由于工人安装的疏忽，用的力偏大，往往把安装支架拧裂了或拧滑丝了，一般人为的损坏厂家不与三包，导致大量的模快因缺少安装支架而无*常使用，南京三门湾电器有限公司因客户的提议，开发出IGBT-F安装支架，为客户排忧解难，

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类型：生产企业

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