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场效应管IRFR024N

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商品信息 更新时间:2014-05-16

标准包装 2000 类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单 系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 75 毫欧 @ 10A,10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 370pF @ 25V
功率 - 45W 安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商设备封装 D-Pak
包装 盘装

 

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