•  场效应管 MOSFET N沟道
•  晶体管*性: N沟道
•  电流, Id 连续: 7.8A
•  电压, Vds *大: 800V
•  在电阻RDS（上）: 1.2ohm
•  电压 @ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
•  功耗, Pd: 190W
•  工作温度敏: -55°C
•  工作温度*高: 150°C
•  封装类型: TO-247AC
•  针脚数: 3
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
•  封装类型: TO-247AC
•  工作温度范围: -55°C 到 150°C
•  漏*电流, Id *大值: 7.8A
•  电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
•  电压, Vds 典型值: 800V
•  电压, Vgs *高: 20V
•  表面安装器件: 通孔

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