| 品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | P*D5VP*D5V0 P*D5V0L6US P*D5V0L6UAS P*D5V07BAS P*D5V0L7BS P*D P*D5 P*D |
| 种类 | 浪涌保护 | 用途 | 通信 |
| 体积 | 小型 | 电压特性 | *电压 |
| 形状 | 贴片式 | 熔断速度 | FF/特快速 |
| 执行标准 | 美标 | 自动复位功能 | 有 |
| *大电压 | P*D5VP*D5V0 P*D5V0L6US P*D5V0L6UAS P*D5V07BAS P*D5V0L7BS P*D P*D5 P*D（V） | *大电流 | P*D5VP*D5V0 P*D5V0L6US P*D5V0L6UAS P*D5V07BAS P*D5V0L7BS P*D P*D5 P*D（A） |
| 保持电流 | P*D5V0 P*D5V0L（A） |
| 提供系统*性及稳定性的重要措施---*D保护器件 | |
| 概述 |
| *D脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。NXP提供一个新系列的*D保护二*管, *适用于对**D及其他电压突变脉冲。这些器件*多可以保护18个数据通道，*大可*30kV的*脉冲. 其引脚容**为10pF，*适合保护*或高频（可达200MHz以上）数据线，由于他们的小体积及*小的漏电流，他们*适用于一些对空间及功耗要求严格的场合，如电池供电及手持设备。 PSED3V3L2UM及P*D5V0L2UM为市场中*先推出的无引脚封装的*D保护器件, *小的SOT883封装, 支持15kV的保护级别, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm体积使其支持更高的保护级别, 体积相比SOT23缩小了90%.   |
| 主要特性 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
  出色的*D保护特性*低容**快的响应速度(<1ns)低钳位电压*漏电流*小封装IEC 61000-4-2,level 4 (> 15 kV 非接触放电, > 8 kV 接触放电)HBM MIL-Std 883, cl* 3(> 4
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