项目

*号

规格说明

备注

PE/SE

PD/SD

PC/SC

输出频率范围

Fo

1MHz-200MHz

频率电压

Vcc

1.8V T*.

1.6V to 2.2V

2.5VT*.

2.2V O2.7

3.3Vt*.

2.7V to 3.6V

接入有源晶振的电源电压.

温度范围

储存温度

T_stg

-40℃ TO +85℃

开封裸存

工作温度

T_use

-20℃ to +70℃/-40℃ TO +85℃

频率稳定度

f_tol

A:+/-10PPM B:+/-20PPM C:+/-50PPM

-20℃ TO +70℃

D:+/-100PPM E:/-50PPM

-40℃ TO +85℃

功耗

Lcc

10mA max

15mA max

无负载条件,fo=200MHz

输出禁用电流

l_dis

8mA max

OE=GND(PE,PD,PC)

待机电流

l_std

50μA max

ST=GND(SE,SD,SC)

占空比

SYM

45% TO 55%

50% Vcc *,L_CMOS≤15PF

高电平输出电压

VoH

90% Vcc Min

Vcc -0.4V Min

lOH=4mA(PD,SD,PE,SE),-8.0mA(PC,SC)

低电平输出电压

VoL

10% Vcc Max.

0.4V Max.

lOH=4mA(PD,SD,PE,SE)8.0 mA(PC,SC)

输出负载条件（CMOS）

L_CMOS

15PF Max

高电平输入电压

VIH

80% Vcc Min.

OE 终端 或ST 终端

低电平输入电压

VIL

20% Vcc Max.

上升/下降时间

tr/tf

5.0 ns Max.

1MHz fo=80MHz

20% Vcc TO 80% Vcc *,L_CMOS=15pF

2.5 ns Max.

80MHz fo=200MHz

振荡器启动时间

t_str

5ms Max.

在电源电压时,所需的时间

频率老化

F_aging

+/-1PPM/year Max.

+25℃ *年,Vcc=1.8V,2.5V,3.3V.