| 型号 | RE200B | | 灵敏元面积 | 2.0×1.0mm2 | | 基片材料 | 硅 | | 基片厚度 | 0.5mm | | 工作波长 | 7-14μm | | 平均透过率 | ＞75% | | 输出信号 | ＞2.5V | | (420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益) | | 噪声 | ＜200mV | | (mVp-p) (25℃) | | 平衡度 | ＜20% | | 工作电压 | 2.2-15V | | 工作电流 | 8.5-24μA | | (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | | 源*电压 | 0.4-1.1V | | (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | | 工作温度 | -20℃- 70℃ | | 保存温度 | -35℃- 80℃ | | 视场 | 139°×126° | | 说明 | 该传感器采用热释电材料*化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，*了传感器的工作稳定性。 | | 使用 | 1、上述特性指标是在源*电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到*佳光学设计。
3、*电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要*接错管脚。 |
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