品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | W26NM50N IRFZ44N IRF840 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 500(V) | 夹断电压 | 500(V) |
跨导 | 30(μS) | *间电容 | 20(pF) |
低频噪声系数 | 3(dB) | *大漏*电流 | 2600(mA) |
*大耗散功率 | 30000(mW) |
产品说明:
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【产品型号】:W26NM50【生产厂家】:ST 【封装型式】:TO-*/TO-247
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用途说明:MOS管 500V 26A原装* 质量*
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