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大量场效应三*管,W26N50N,

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普通会员
  • 企业名:洪良洲

    类型:经销商

    电话: 0755-83222865

    联系人:洪良洲

    地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城二期N1A182

商品信息 更新时间:2012-07-05

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W26NM50N IRFZ44N IRF840
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 AM/调幅
封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 500(V) 夹断电压 500(V)
跨导 30(μS) *间电容 20(pF)
低频噪声系数 3(dB) *大漏*电流 2600(mA)
*大耗散功率 30000(mW)

产品说明:

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【产品型号】:W26NM50
【生产厂家】:ST 【封装型式】:TO-*/TO-247
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用途说明:MOS管  500V   26A原装*  质量*

 

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