根据我国晶体管命名方法确定，截止频率大于等于3MHz的为高频管，小于3MHz的为低频管。在晶体管的型号脱落的情况下，可通过测量晶体管发射结反向击穿电压V(BR)ebo。的方法，区分高频小功率晶体管和低频小功率晶体管。
　　
　　在测量晶体管发射结反向击穿电压时，若电压表读数在1-8V左右则说明此晶体管为高频管。原因是:对于高频管来说已工作在反向击穿状态。若电压表的读数在lOV以上，则表明该晶体管是低频管。
   
　　高频管的V(BR)CBO都低于8V，低频管的V(BR)CBO都高于lOV，我们可以从晶体管手册中查出。下面随机抽查了几只高频管和低频管的V(BR)CBO数值就可验证:3AG6≥0.5V，3AG324V，3AX3l≥lOV，3AX41≤5OV，3DG5 5V，3DG4≥4V，3Dx2≥I5V。

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