参数*号

*  号  说  明

参  数

单  位

VCBO

集电* - 基* 电压

-60

V

VCEO

集电* - 发射* 电压

-50

V

VEBO

发射* - 基* 电压

-5

V

IC

集电*电流

-150

mA

PC

集电*功率耗散

250

mW

TJ

结温

150

`C

TSTG

储存温度

-55 - 150

`C

参数*号

*  号  说  明

测 试 条 件

*小

典型

*大

单位

BVCBO

集电* - 基* 击穿电压

IC=-100μA，IE=0

-60

V

BVCEO

集电* - 发射* 击穿电压

IC=-100μA，IB=0

-50

V

BVEBO

发射* - 基* 击穿电压

IE=-100μA，IC=0

-5

V

ICBO

集电* - 基* 截止电流

VCB=-15V, IE=0

-0.1

nA

IEBO

发射* - 基* 截止电流

VEB=-5V, IE=0

-0.1

nA

HFE

直流电流增益

VCE=-6V, IC=-10mA

90

600

VCE(sat)

集电* - 发射* 饱和电压

IC=-100mA, IB=-10mA

-0.3

V

VBE(sat)

基* - 发射* 饱和电压

IC=-6mA, IB=-1mA

-0.8

V

fT

电流增益 - 带宽乘积

VCE=-6V, IC=-10mA

100

180

MHz

分档标志

O

P1

P2

Q1

Q2

hFE

120-200

200-300

300-400

400-500

500-600