品牌:CSD创硕达 型号:X2安规电容 介质材料:*薄膜 应用范围:旁路 外形:长方形 功率特性:*率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:&plu*n;10(%) 耐压值:2000(V) 标称容量:0.0047~4.7UF(uF) 损耗:≦1.0%(20℃1KHZ) 额定电压:250/275VAC(V)
盒式金属聚丙烯膜*干扰安规电容器X2
引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414
气候类别:40/110/56
额定电压:250/275Vac
容量范围:0.0047μF~4.7μF
容量偏差:&plu*n;10%(k);&plu*n;20%(m);
耐电压:
Between terminals:2100Vdc(1s).C≤1.0uf ;1800Vdc(1s).c>1.0uf
Between terminals to case:2050Vac(2S)
工作温度:-40℃~+110℃
损耗角正切:≤0.1%(20℃1kHZ)
*缘电阻:≥15000MΩ;C≤0.33μF,≥5000MΩ;C>0.3μF;100v 1min
特征用途:
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