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贴片压敏电阻

贴片压敏电阻
贴片压敏电阻
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商品信息

品牌/商标 GRACE 型号/规格 SMV0402E180N150T
种类 压敏 性能 电路保护
材料 氧化锌 制作工艺 片式电阻器
外形 平面片状 营销方式 现货
产品性质 *

 
产品详细信息:

    静电是人们*熟悉的一种自然现象。静电的许多功能已经应用到*或民用产品中,如静电除尘、静电喷涂、静电分离、静电复印等。然而,静电放电*D(Electro-Static Discharge)却又成为电子产品和设备的一种危害,造成电子产品和设备的*甚至部件损坏。现代半导体器件的规模越来越大,工作电压越来越低,导致了半导体器件对外界电磁骚扰敏感程度也大大*。*D对于电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题越来越引起人们的重视。电子设备的*D也开始作为电磁兼容性测试的一项重要内容写入*标准和国际标准。

1.静电成因及其危害

        静电是两种介电系数不同的物质磨擦时,正负*性的电荷分别积累在两个特体上而形成。当两个物体接触时,其中一个趋从于另一个吸引电子,因而二者会形成不同的充电电位。就人体而言,衣服与皮肤之间的磨擦发生的静电是人体带电的主要因之一。

        静电源与其它物体接触时,依据电荷中和的机理存在着电荷流动,传送*的电量以抵消电压。在*电量的传送过程中,将产生潜在的破坏电压、电流以及电磁场,严重时将其中物体击毁,这就是静电放电。*标准中定义:静电放电是具有不同静电电位的特体互相靠近或直接接触引起的电荷转移(GB/T4365-1995),一般用*D表示。*D会导致电子设备严重损坏或操作失常。

        静电对器件造成的损坏有显性和隐性两种。隐性损坏在当时看不出来,但器件变得更脆弱,在过压、高温等条件下*易损坏。

        *D两种主要的破坏机制是:由*D电流产生热量导致设备的热失效;由*D感应出过高电压导致*缘击穿。两种破坏可能在一个设备中同时发生,例如,*缘击穿可能激发大的电流,这又进一步导致热失效。

        除容易造成电路损害外,静电放电也*易对电子电路造成干扰。静电放电对电子电路的干扰有二种方式。一种是传导干扰,另一种是辐射干扰。

2.数码产品的构造及其*D问题

        现在各类数码产品的功能越来越强大,而电路板却越来越小,集成度越来越高。并都或多或少的装有部分接口用于人机交互,这样就存在着人体静电放电的*D问题。一般数码产品中需要进行*D*护的部位有:U*接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数*输接口。

        *D可能会造成产品工作异常、*机,甚至损坏并引发其他的*问题。所以在产品上市之前,国内或国外检测部门都要求进行*D和其它浪涌冲击的测试。其中接触放电需要*&plu*n;8kV,空气放电需要*&plu*n;15kV,这就对*D的设计提出了较高的要求。

3.数码产品中*D问题解决与*护

3.1 产品的结构设计

        如果将释放的静电看成是洪水的话,那么主要的解决方法与治水类似,就是“堵”和“疏”。如果我们设计的产品有一个理想的壳体是密不透风的,静电也就无从而入,当然不会有静电问题了。但实际的壳体在合盖处常有缝隙,而且许多还有金属的装饰片,所以*要加以注意。

        其一,用“堵”的方法。尽量增加壳体的厚离,即增加外壳到电路板之间的距离,或者通过一些等效方法增加壳体气隙的距离,这样可以避免或者大大减少*D的能量强度。

        通过结构的改进,可以*外壳到内部电路之间气隙的距离从而使*D的能量大大减弱。根据经验,8kV的*D在经过4mm的距离后能量一般衰减为*。

        其二,用“疏”的方法,可以用EMI油漆喷涂在壳体的内侧。EMI油漆是导电的,可以看成是一个金属的屏蔽层,这样可以将静电导在壳体上;再将壳体与PCB(Printed Circuit Board)的地连接,将静电从地导走。这样处理的方法除了可以*静电,还能*抑制EMI的干扰。如果有*的空间,还可以用一个金属屏蔽罩将其中的电路保护起来,金属屏蔽罩再连接PCB的GND。

        总之,*D设计壳体上需要注意很多地方,*先是尽量不让*D进入壳体内部,*大限度地减弱其进入壳体的能量。对于进入壳体内部的*D尽量将其从GND导走,不要让其危害电路的其它部分。壳体上的金属装饰物使用时*要小心,因为很可能带来*的结果,需要*注意。

3.2 产品的PCB设计

        现在产品的PCB(Printed Circuit Board)都是高密度板,通常为4层板。随着密度的增加,趋势是使用6层板,其设计一直都需要考虑性能与面积的平衡。一方面,越大的空间可以有更多的空间摆放元器件,同时,走线的线宽和线距越宽,对于EMI、音频、*D等各方面性能都有好处。另一方面,数码产品设计的小巧又是趋势与需要。所以,设计时需要找到平衡点。就*D问题而言,设计上需要注意的地方很多,尤其是关于GND布线的设计以及线距,很有讲究。有些产品中*D存在很大的问题,一直找不到原因,通过反复研究与实验,发现是PCB设计中的出现的问题。

为此,这里总结了PCB设计中应该注意的要点:

(1)PCB板边(包括通孔Via边界)与其它布线之间的距离应大于0.3mm;
(2)PCB的板边*好*用GND走线包围;
(3)GND与其它布线之间的距离保持在0.2mm~0.3mm;
(4)Vbat与其它布线之间的距离保持在0.2mm~0.3mm;
(5)重要的线如Reset、Clock等与其它布线之间的距离应大于0.3mm;
(6)大功率的线与其它布线之间的距离保持在0.2mm~0.3mm;
(7)不同层的GND之间应有尽可能多的通孔(VIa)相连;
(8)在*后的铺地时应尽量避免尖角,有尖角应尽量使其平滑。

3.3 产品的电路设计

        在壳体和PCB的设计中,对*D问题加以注意之后,*D还会不可避免地进入到产品的内部电路中,尤其是以下一些端口:U*接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数*输接口,这些端口很可能将人体的静电引入内部电路中。所以,需要在这些端口中使用*D*护器件。

        以往主要使用的静电*护器件是压敏电阻和TVS器件,但这些器件普遍的缺点是响应速度太慢,放电电压不够*,*间电容大,寿命短,电性能会因多次使用而变差。所以目前行业中普遍使用*的“静电抑制器”来取代以往的静电*护器件 。“静电抑制器”是*解决静电问题的产品,其内部构造和工作原理比其他产品更具科学性和*性。它由Polymer高分子材料制成,内部菱形分子以规则离散状排列,当静电电压*过该器件的触发电压时,内部分子*产生*对*的放电,将静电在*泄放到地。它*大特点是反应速度快(0.5ns~1ns)、*低的*间电容(0.05pf~3pf),很小的漏电流(1μA),**种接口的*护。

        因为静电抑制器具有体积小(0603、0402)、无*性、反应速度快等诸多优点,现在的设计中使用静电抑制器作为*护器件的比例越来越多,在使用时应注意以下几点:
1、将该器件尽量放置在需要保护的端口附近;
2、到GND的连线尽可能短;
3、所接GND的面积尽可能大。

        *D 的问题是众多重要问题之一。在不同的电子设备中有不同的方式来避免对电路的危害。由于现在的数码产品体积小、密度大,在 *D 的*护上有*的特点。通过大量的静电测试*,采用本文的设计方法处理,将一个原本&plu*n; 2kV 放电就会*机的产品加以保护和改进,在&plu*n; 8kV 的静电放电情况下依然可以稳定工作,起到了很好的静电*护效果。随着电子设备使用的日益广泛, *D 设计是每一个结构设计工程师和电子设计工程师需要重点关心的问题,通过不断总结与学习, *D 问题将*是一个难题!

联系方式

企业名:深圳市福田区新亚洲电子市场二期可锐电子经营部

类型:经销商

电话: 0755-82565862

联系人:张帅强

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