用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电*制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于你使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 优点 1.容量损耗随温度频率具高稳定性 2.*的串联结构适合于高电压*长期工作*性 3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

高压型陶瓷电容器(HIGH VOLTAGE 1KV～3KV TYPE)1.特点及用途(FEATUR* & APPLICATIONS) 高压型陶瓷电容器具有耐直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中.其中的低损耗高压圆片瓷介电容器具有较低的介质损耗，*适合在电视接收机的行扫描等电路中使用。2.技术指标(SPECIFICATIONS)电容量(capacitance)18pF～33000pF电容量允许偏差(capacitance tolerance)K(&plu*n;10%),M(&plu*n;20%),Z( 80%-20%)使用温度(operating temperature)-25℃～85℃温度特性(temperature characteristic)Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R额定电压(rated voltage)1KVDC,2KVDC,3KVDC损耗角正切值(dissipation factor)(tgδ)Y5P、Y5U、Y5V: tgδ≤2.0%BN: tgδ≤0.5%Y5R: tgδ≤0.2%SL:Cr<30pF,Q≥400 20Cr;Cr≥30pF,Q≥1000Ⅰ类:1MHz,1&plu*n;0.2Vrms,25℃Ⅱ类:1KHz,1&plu*n;0.2Vrms,25℃*缘电阻(insulation resistance)(IR)IR≥10000MΩ @ 25℃,500VDC耐电压(voltage proof)1.5Ur 500测试电压(testing voltage)2 times the rated voltage or 1.5 timesthe rated voltage 500V（whichever is *aller）1分钟无击穿，无飞弧封装(encapsulation)1KV:酚醛树脂≥2KV:环氧树脂3.电容量与尺寸对照表额定电压产品尺寸温度特性引线间距直径厚度Y5P

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