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双向可控硅 BTA16

双向可控硅 BTA16
双向可控硅 BTA16
普通会员
商品信息

品牌:ST/意法型号:BTA16控制方式:双向
*数:三*封装材料:塑料封装封装外形:平底形
散热功能:带散热片频率特性:高频功率特性:大功率
额定正向平均电流:16(A) 控制*触发电流:10-20(mA) *大稳定工作电流:160(A)
反向重复峰值电压:800(V)

厂家**.欢迎来电咨询!

 

 

产品特征和主要用途:

NPNPN五层结构的硅双向器件;具有自主知识

产权的单面挖槽技术,台面玻璃钝化工艺;背面多层

金属化电*;具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性;

主要用于:吸尘器、电动工具等马达调速控制器;

固态继电器;加热控制器(调温);其它相控电路。

 

●*限参数

*号

参数名称

数值

单位

IT(RMS)

通态方均根电流

BTA

BTB

Tc=80

Tc=90

16

A

ITSM

通态浪涌电流

F=50HZ

t=20ms

160

A

I2t

I2t的*限值

tp=10ms

144

A2S

di/dt

通态电流临界上升率

 

Tj=125

50

A/us

VDRM/VRRM

断态重复峰值电压

反向重复峰值电压

 

Tj=25

800

V

IGM

门*峰值电流

tp=20us

Tj=125

4

A

PG(*)

门*平均耗散功率

Tj=125

1

W

Tstg

Tj

储存温度

*结温

40to+150

40to+125

       

 


●电特性

*号

名称和测试条件

   

 

数值

单位

IGT

触发电流

VD=12V  RL=100Ω

触发电压

ⅠⅡ

MAX

30

80

mA

VGT

 

MAX

1.5

 

V

VGD

不触发电压    Tj=125

 

MIN

0.2

V

IH

维持电流       IT=0.5A

MAX

60

mA

 

IL

 

擎住电流       IG=1.2IGT

ⅠⅡ

 

MAX

60

 

mA

100

dv/dt

断态电压临界上升率VD=2/3VDRM  Tj=125

MIN

500

V/us

(dv/dt)c

换向电压临界上升率              Tj=125

MIN

10

V/us

       

 

 

●静态参数

*号

名称和测试条件

数值

单位

VTM

通态峰值电压ITM= 32A

Tj=25

MAX

1.55

V

VT0

门槛电压

Tj=125

MAX

0.87

V

Rd

斜率电阻

Tj=125

MAX

14.6

mΩ

IDRM

IRRM

断态峰值电流

反向峰值电流

Tj=25

Tj=125

MAX

5

uA

1

mA

 

Rth(j-c)

 

BTA

 

2.1

 

/W

BTB

 

1.3

联系方式

企业名:深圳市威国科技发展有限公司

类型:生产加工

电话: 755-33060028

联系人:莫建群

地址:广东深圳福田区上梅林中康南路雕塑家园1202室

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