| 品牌：国产 | 型号：S8550D | 应用范围：功率 |
| 材料：锗 | *性：NPN型 | 击穿电压VCBO：40（V） |
| 集电**大允许电流ICM：0.8（A） | 截止频率fT：150（MHz） | 结构：扩散型 |
| 封装形式：TO-92 | 封装材料：金属封装 |
大量现货,欢迎来电查询!
MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
IC Collector Current -Continuous -800 mA
TJ, Tstg Junction and Storage Temperature -55-150 ℃
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
