| 品牌：国产 | 型号：S9012 | 应用范围：功率 |
| 材料：锗(Ge) | *性：PNP型 | 击穿电压VCBO：40（V） |
| 集电**大允许电流ICM：0.5（A） | 集电**大耗散功率PCM：0.625（W） | 截止频率fT：150（MHz） |
| 结构：平面型 | 封装形式：TO-92 | 封装材料：塑料封装 |
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ELE*RICAL CHARA*ERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA, IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0 -25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA, IC=0 -5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=- 40V, IE=0 -0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCB=-20V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=- 5V, IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-4V, IC=-1mA 64 400 DC current gain hFE(2) VCE=-1V, IC= -500mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= -500 mA, IB= -50mA -0.6 V
Base-emitter voltage VBE(sat) IC= -500 mA, IB=- 50mA -1.2 V
Transition frequency f T
VCE=-6V, IC=-20mA,
f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank D E F G H I J
Range 64-91 78-112 96--400
1 2 3
TO-92
1. EMITTER 2. BASE
3. COLLE*OR
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