扩散硅压阻式压力传感器（高压） 8系列压力传感器装TAB胶粘式测量元件，十分耐用。甚至受到 压力*大值影响也如此。其*于测量高压。400～1000bar压力范围 的8系列用厚的玻璃引线和丝焊式测量元件。 高灵敏度压阻式硅芯片用于压力感受。由密封的不锈钢外壳（用 同心波纹膜片密封）保护芯片免受外界环境影响。为使膜片上的压力 传到敏感元件，在壳体内灌硅油。 同压力介质接触的*金属件均由不锈钢316L制成。全焊接式外 壳密封成真空。 典型用途：生产过程，航空电子设备，随动操纵装置，机器人技 术…… 耐用的压力传感器 浸在硅油中的压阻式芯片被焊接到不锈钢316L外壳中。 高灵敏度 在*的标准压力范围，以4mA供电电流可得到900mV信号。 适用性 类型：*压和密封式表压。9个标定测量范围（从10到1000bar）。 不同的材料和灌入油（见选用项） 质量 每个压力传感器都经过压力响应与温度特性的补偿试验,都有合格 证书，合格证上说明试验结果和特性。假如用户要求,可作专门试验。 8 系列 技术条件 压力范围（FS）和*压（bar），信号输出（mV） PAA PA 50 信号输出（典型）00 *压 PAA：*压，在真空时为*点 PA：密封式表压：在大气压时*点（在校准日） 电桥电阻25℃ （Ω） 3500 &plu*n;20% 恒电流供电 （mA） 4（标称） 5（*大） *缘50VCC （MΩ） 100 使用温度 （℃） －30…100 －55…150（选用） 补偿范围 （℃） 0…50（1） －10…80（1） 贮存温度 （℃） －40…100 －60…150 振动（20…5000HZ） 20g 耐用性（周期） （FS 25℃） ＞100×106FS 外壳和膜片 不锈钢，类型316L 密封圈 氟化橡胶（1）iΦ12×1.5mm 注入油 硅油（1） 重量 13g *对体积变化 （25℃） ＜0.1mm3/FS 电缆（选用） 0.09mm2,12×Φ0.1mm,硅护层 *缘250V，0Φ1.2mm,长度7cm(1) 精度（2） （%FS） 0.5（典型）（1） 1*大 偏移（在25℃） （mA） ＜20（用22Ω R5补偿（3）） 温度偏差 0…50℃ ─10…80℃ －55…150℃ *点 （mV/℃） ＜0.10 ＜0.20 ＜0.30 灵敏度 （%/℃） ＜0.01 ＜0.03 ＜0.07 长时间稳定性（典型） （mV） 2 3 5 自然频率（谐振） （KHZ） ＞30 注（1）其它按要求： （2）包括线性，迟滞和重复性，按照过*点的*佳直线计算线性； （3）外部补偿，没提供补偿电位计。 选用项目 -铂或耐蚀镍基合金C-276膜片，镀金膜片 -传感器*为耐蚀镍基合金C-276 -低温油，氟化油、橄榄油 -特性：线性、*压、较低的TC*点 -专门试验 -在100和1000bar之间的*压力范围 -在－55和 150℃之间的*压力范围 -补偿PCB PA-8/8467-1000（1） SN CB330（2） （3）温度 （4）*点 （5）－100 （6）补偿 （7）d*点 -6.9 -50.5 53.6 -30.1 -1.4 2.4 -50.8 57.0 -29.7 -1.0 26.2 -52.1 67.4 -28.7 0.0 50.6 -54.4 79.5 -28.1 0.6 80.2 -57.4 97.5 -27.0 1.6 补偿 R2=510KΩ（8） R4=27.0Ω（1） *点 －1.7mV(9) P (标准大气压) 962mbar(10) 灵敏度 0.795mV/bar(11) (12)(bar) (13)(mV) (14)线性 (15)线性 500.00 395.6 －0.23 －0.18 1000.00 796.7 0.23 0.18 长时间稳定 OK（16） 芯片 2.5（6.1306.02）（17） 激励 4.0mA(18) 500V试验(19) 01.10.97（20）------------------------------------------------------FLOH.LO2F00（20） 每个传感器提供下述数据的计算图表 注： 1． 类型（PA-8），图号（8467），压力传感器的量程（1000bar） 2． 压力传感器顺序号（按需求刻上） 3． 实际试验温度 4． 没有补偿的*点偏移（mV） 5． *点偏移值（mV），用试验电阻（100KΩ），（*系数计算用） 6． *点偏移（mV），用计算的补偿电阻R1或R2 7． 温度*点误差（mV），用补偿电阻R1或R2 8． 补偿电阻R1/R2和R3/R4 9． 用补偿电阻R1/R2和R3/R4时的偏移（用R5补偿电位计进行*点细调） 10． 环境压力，*压传感器（＜20bar）的*点基准 11． 压力传感器的灵敏度 12． 压力试验点 13． 压力试验点的信号 14． 线性（通过*点的*佳直线） 15． 线性（*佳直线） 16． 长时间稳定性结果 17． 芯片类型（按需求，硅芯片的标号） 18． 激励（恒电流） 19． 电压*缘试验 20． 试验日期 试验设备 附注： -这里所说的技术条件只适用于恒电流供电，传感器在0.5和4mA之间的电流范围激励，当在恒电压下激励时，*点偏移值保持不变，灵敏度减小约1%/ 5℃ -若放在*端温度中，则补偿电阻有＜50ppm/℃温度系数，传感器和电阻可放在不同的温度环境 -传感器可用集成式补偿电阻调整

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