•  场效应管 MOSFET N沟道 600V 25A D2PAK
•  晶体管极性: N沟道
•  电流, Id 连续: 12.5A
•  漏源电压, Vds: 600V
•  在电阻RDS（上）: 110mohm
•  电压 @ Rds测量: 10V
•  阈值电压 Vgs: 4V
•  功耗 Pd: 190W
•  晶体管封装类型: TO-263
•  针脚数: 3
•  工作温度最高值: 150°C
•  MSL: MSL 1 -无限制
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
•  工作温度最小值: -55°C
•  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
•  晶体管类型: 功率MOSFET
•  漏极电流, Id 最大值: 25A
•  电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
•  电压, Vds 典型值: 600V
•  电压, Vgs 最高: 25V
•  表面安装器件: SMD

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