奥蒂斯电梯板LMCSS-MCB ，全新原装现货

 

特价代理奥蒂斯电梯板LMCSS-MCB

 

在高压脉冲环境中，650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款器件导通电阻 （RDS（ON）） 极低，分别为0.032俸伲岷辖舸盏脶O-247封装，可提高系统能效和功率密度。

新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh V 超结（super-junction）技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS（ON） 极低的高压器件，使芯片的封装尺寸变得更小。栅电荷（Qg）和输入电容也极低，因此，Qg x RDS（ON）品质因数 （FOM,figure of meric）极其出色，开关性能和能效异常优异。此外，优异的抗雪崩（avalanche）性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。

MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH水平式架构，导通电阻较同级别的MDmesh II器件降低大约50%.

意法半导体的采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。

 

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