技术参数：

　　总频差： 20PPM（MHz）

　　SiT8102内含一颗MEMS谐振器和一颗CMOS电路。所有的控制，驱动和频率变换由COMS电路完成。通过编程方式可产生从1MHzand200MHz范围内的任何频率，在商用或工业级温度范围内误差为+/-50或+/-100ppm.工作电压可选；1.8V,2.5V,或3.3V.并可工作于待机状态和输出使能控制以满足低功耗的要求。

　　MEMS振荡器SiT8102参数：

　　频率范围（MHz）：1-200MHZ

　　工作频率稳定性（PPM）：± 20、± 25、±30、± 50

　　工作电压（V）：1.8、2.5V、2.8V、3.3V

　　工作电流（mA）：6.7

　　温度范围（°C）： -20 to +70,-40 to +85（工业）

　　封装（mm）：2.5*2.0*0.75,3.2*2.5*0.75, 5.0*3.2*0.75, 7.0*5.0*0.9

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　　晶振发展趋势

　　1.小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已经上市。

　　2.高精度与高稳定度，无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。

　　3.低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外，其它类型的晶体振荡器输出频率不超过200MHz.例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器，其频率为650~1700MHz,电源电压2.2~3.3V,工作电流8~10mA.

　　4.低功能，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V.许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA.石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。例如日本精工生产的VG-2320SC型VCXO,在±0.1ppm规定值范围条件下，频率稳定时间小于4ms.日本东京陶瓷公司生产的SMDTCXO,在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%.OAK公司的10~25MHz的OCXO产品，在预热5分钟后，则能达到±0.01ppm的稳定度。

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