产品型号:STP9NC60

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):9

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):125

输入电容Ciss(PF):1400 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850

导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.

上升时间Tr(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.

下降时间Tf(ns):30 typ.

温度(℃): -65 ~150

描述:600V,9A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET

产品特点：
.极高dv / dt能力
.100％的雪崩测试
.新的高压基准
.栅极电荷最小化

应用范围：
.大电流，高开关速度
.SWITH模式电源（SMPS）
.DC-AC转换器的焊接
.设备和不间断
.电源和电机驱动

 

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：贸易/代理/分销

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