| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | SD 2482 |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | *率 |
| 频率特性 | 高频 | *性 | NPN型 |
| 结构 | 键型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 截止频率fT | 50（MHz） | 集电**大允许电流ICM | 100M（A） |
| 集电**大耗散功率PCM | 900m（W） | 营销方式 | * |
| 产品性质 | * |
█主要用途
＊作通用高压放大、彩电行激励和色度输出。
|
Tstg——贮存温度……………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电*耗散功率…………………………………900mW VCBO——集电*—基*电压……………………………300V VCEO——集电*—发射*电压…………………………300V VEBO——发射*—基*电压………………………7V IC——集电*电流…………………………………………100mA |
█电参数（Ta=25℃）
* 号 说 明 | * 号 | 测 试 条 件 | *小值 | 典型值 | *大值 | 单 位 |
集电*—基*截止电流 | ICBO | VCB=240V,IE=0 |
|
| 1.0 | uA |
发射*—基*截止电流 | IEBO | VEB=7V,IC=0 |
|
| 1.0 | uA |
集电*—基*击穿电压 | BVCBO | IC=100uA,IE=0 | 300 |
|
| V |
集电*—发射*击穿电压 | BVCEO | IC=10mA,IB=0 | 300 |
|
| V |
发射*—基*击穿电压 | BVEBO | IE=1mA,IC=0 | 7 |
|
| V |
直流电流增益 | hFE | VCE=10V, IC=20mA | 30 |
| 150 |
|
集电*—发射*饱和压降 | VCE(sat) | IC=10mA, IB=1mA |
|
| 1 | V |
基*—发射*饱和压降 | VBE(sat) | IC=10mA, IB=1mA |
|
| 1 | V |
特征频率 | fT | VCE=10V, IE=-20mA | 50 |
|
| MHz |
共基*输出电容 | COB | VCB=20V,IE=0,f=1MHz |
| 3.0 |
| pF |
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