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旋转整流模块ZXQ100-12,ZXQ70-12,MMY20K-750V,MMY20K-460V

供应旋转整流模块ZXQ100-12,ZXQ70-12,MMY20K-750V,MMY20K-460V
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  • 企业名:湘潭电机配件经营部

    类型:经销商

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商品信息

供应旋转整流模块ZXQ100-12,ZXQ70-12,MMY20K-750V,MMY20K-460V

 

ZXQ100-12技术参数

电流:100A

反向峰值电压:1200V

 

ZXQ70-12技术参数

电流:70A

反向峰值电压:1200V

 

MMY20K-750V技术参数

20K

750V

 

齐纳击穿
  反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧*,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
  雪崩击穿  
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。

 

联系方式

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