∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 开关三极管(1)∟ 其他三极管(3)
品牌:SLT 型号:1N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:4（V） *大漏*电流:4000（mA） *大耗散功率:3000（mW）
我公司采用*芯片，自己封装ＴＯ－２５１，ＴＯ－２５２场效应三*管．质量*，价格合理，希望为电脑，手机用户提供优质服务．
概述与特点
2N60型MOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：
● 开关速度快
● 通态电阻低
● 可并联使用
● 驱动简单
● 封装形式：TO-92
2.电特性
2.1*限值
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称 | *号 | 额定值 | 单位 |
漏源反向电压 | VDS | 600 | V |
连续漏*电流 | ID | 1.0 | A |
脉冲漏*电流 | IDM | 4.0 | A |
栅源电压 | VGS | &plu*n;30 | V |
单脉冲能量 | EAS | 20 | mJ |
雪崩电流 | IAR | 1.2 | A |
热阻（结到壳） | RθJC | 50 | ℃/W |
热阻（结到环境） | RθJA | 140 | |
耗散功率 | PDt | 3 | W |
结温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55～150 | ℃ |
2.2电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
漏源反向电压 | VDS | VGS=0V, ID=250 uA | 600 |
|
| V |
通态电阻 | RDSON | VDS=10V, ID=0.5A |
|
| 10 | Ω |
栅*阈值电压 | VGS(TH) | VDS= VGS, ID=250uA | 2.0 |
| 4.0 | V |
跨导 | y21S | VDS= 50V, ID=0.5A | 0.88 |
|
| S |
漏源漏电流 | IDSS | VDS=600V,VGS=0V,Tj= 25℃ |
|
| 25 | μA |
VDS=480V,VGS=0V,Tj= 125℃ |
|
| 250 | μA | ||
栅源漏电流 | IGSS | VGS=30V ,VDS=0V |
|
| +100 | nA |
VGS= -30V ,VDS=0V |
|
| -100 | nA | ||
关断延迟时间 | td(off) | VDD=300V,ID=1.0A VGS=10V, RG=12Ω |
| 35 |
| ns |
输入电容 | CISS | VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHz |
| 160 |
| pF |
本公司*生产销售晶体三*管及ＭＯＳ场效应三*管,长期以来主要为彩电、音响、玩具，*灯等家电配套.主要以中大功率三*管为主.本公司长期供应三*管的主要产品有：
TO92L（2SA928、2SC2328，2*892，2SA966、2SA1020、2SA1013、SC2482、2SC2655、2SC2383、2SC2236）：
TO92（2SC1815Y/GR、2SA1015Y/GR,2SA73*，2SC388，2SC1674，8550，8050，9014，9015，A42，A92，A44
TO-126（2*772、2SD882,2SC2688,）；
TO-220（7805、7808、7812,TIP31、TIP32、TIP41、TIP42、TIP122、TIP127,2SD880；
9012、9013、9014C、9015C、9018G；
A42、A92、A44、A94
8050、8550、S8050、S8550，
１Ｎ６０，２Ｎ６０，３Ｎ６０，４Ｎ６０，６Ｎ６０，８Ｎ６０，１０Ｎ６０，ＩＲＦ６３０，ＩＲＦ６４０，ＩＲＦ６３４，ＩＲＦ７３０，ＩＲＦ７４０，ＩＲＦ８３０，ＩＲＦ８４０，等，*，价格优惠，欢迎广大用户选用。
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
