国产
三*管D965
高反压
小功率
中频
NPN型
点接触型
硅(Si)
直插型
塑料封装
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企业名:深圳市晶泰达电子有限公司
类型:生产加工
电话: 0755-29769280
联系人:杨斌
地址:广东深圳82区华美居B区416
*,长期供应三*管D965,TO-92,欢迎来电咨询。
ELE*RICAL CHARA*ERISTICS(Tamb=25℃unless otherwise specified)
Parameter | Symbol | Test conditions | MIN | TYP | MAX | UNIT |
Collector-base breakdown voltage | V(BR)CBO | lc=0.1mA, lE=0 | 42 |
|
| V |
Collector-emitter breakdown voltage | V(BR)CEO | lc=1mA, lB=0 | 22 |
|
| V |
Emitter-base breakdown voltage | V(BR)EBO | lE=10mA,lc=0 | 6 |
|
| V |
Collector cut-off current | lCBO | VCB=30V, lB=0 |
|
| 0.1 | μA |
Emitter cut-off current | lEBO | VEB=6V, lc=0 |
|
| 0.1 | μA |
DC current gain | hFE(1) | VCE=2V,lc=0.15mA | 150 |
|
|
|
hFE(2) | VCE=2V,lc=500mA | 340 |
| 2000 |
| |
hFE(3) | VCE=2V,lc=2A | 150 |
|
|
| |
Collector-emitter saturation voltage | VCE(sat) | lc=3000mA,lB=100mA |
|
| 0.35 | V |
Transition frequency | ft | VCE=6V,lc=50mA,f=30MHZ |
| 150 |
| MHz |
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank | R | Y | V |
Range | 340-600 | 560-950 | 900-2000 |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司