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DRT801/211BIGBT驱动变压器

供应DRT801/211BIGBT驱动变压器
供应DRT801/211BIGBT驱动变压器
  • 型号/规格：

    DRT801/211B

  • 品牌/商标：

    兵字/bingzi(中英文)

  • 包装方式：

    多件包装

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商品信息

【详细说明】

 

“动力星”DRT801/211B
IGBT驱动变压器
    DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的*新产品，以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯，可满足多项应用要求。
 
    一．产品特点：
    ①耦合电容低，使之具有很高的*干扰能力；
    ②漏感小，*了更好的输出脉冲波形；
    ③无开关*、瞬时传输功率高；
    ④*电强度高，**；
    ⑤全封闭，机械和耐环境性能好；
    ⑥体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。
 
    二．使用条件：
    ①环境温度：-40℃~+85℃
    ②相对湿度：温度为40℃时不大于90%
    ③大气压力：860~1060mbar（约为650~800mmHg）
 
    三．*缘耐热等级：F级（155℃）
 
    四．*特性：
    ①*缘电阻：常态时大于1000MΩ
    ②阻燃性：*合UL94-V0级
 
    五．各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数（典型值）
    ① 各参数的意义：
    u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
    VP—各绕组之间施加的*电强度试验电压之*值，持续时间60s。
    ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn（在*频率范围内其值基本不变）。
    V1—输入脉冲幅度（初级脉冲电压）。
    tn—在相应的V1和FP下驱动变压器的额定传输脉宽。
    V2—输出脉冲幅度（次级脉冲幅度）。
    RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。
    LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V
    LS—漏感（将次级绕组短路后测量）f=1000Hz V=1V
    CK—分布电容   f=1000Hz V=1V
    ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数
 
 
u
Vp
（kV）
初级电感
LP
漏感
LS
分布电容
CK
∫udt
（μV S）
V1
（V）
tn
（μS）
V2
（V）
RL
（Ω）
使用频率范围
2:1:1
3.1
8mH
10μH
22pF
≥280
20
14
9
100
100Hz~50 kHz
 

联系方式

企业名：深圳市新创四方电子有限公司

类型：生产企业

电话： 0755-83030474

联系人：王瑾琦

邮箱：10820737@qq.com

地址：广东深圳华强广场Q1A205

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