IGBT吸收电容器0.47uf半成品

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型号:ＱＤ-1200-0.47

特点: 主要用于开关器件的**吸收,也用于*电流通过的场合.

适用于电源设备,变频器,*声设备,大功率开关电路

常规技术参数

容量公差 CN=1.0uF&plu*n;3% 工艺

额定电压:UN=1200VDC 自愈式金属化薄膜电容器

额定电流:IN=18.5A 干式结构,*PCB

*大浪涌峰值电流Is≤100A 外壳

自感 Ls＜10nH 阻燃ABS,黑色

可重复浪涌电压Us＜1800VDC 介质损耗：tanδ0≤ 2.0x10-4

不可重复浪涌电压ǔ＜2000VDC 产品损耗:tanδ≤2.0*10-4(1KHZ)

工作温度:-30℃~ 75℃ ≤5.0*10-4(10KHZ)

预期寿命:10万小时

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联系方式

企业名：铜陵市启动电子制造有限责任公司

类型：生产加工

电话： 0562-2828651

联系人：万广文

地址：安徽铜陵铜陵市石城路46号

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