类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电极-发射极电压VCEO：18V ；
集电极-基极电压VCBO:25V ；
发射极-基极电压VEBO:4V ；
集电极直流电流IC:60mA；
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW ；
工作结温Tj:150℃ ；
贮存温度Tstg:-65~150℃；
功率特性：小功率；
极性：NPN型 ；
结构：扩散型 ；
材料：硅(Si) ；
封装形式：表面贴封装：SOT-23；
封装材料：塑料封装；
包装：盘带包装，3000pcs/盘；
击穿电压:V(BR)CEO=18V,V(BR)CBO=25V,V(BR)EBO=4V
直流放大系数hFE: 70～190@VCE=5V,IC=1mA;
集电极发射极饱和压降VCE(sat): 0.5v@IB=1mA;,IC=10mA;
基极发射极饱和压降VBE(sat): 1.4v@IB=1mA;,IC=10mA;
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)
集电极允许电流IC：0.05（A）
集电极允许耗散功率PT：0.2（W）；
特征频率fT：2000MHz@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;
噪声系数NF：0.5dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=5V,f=1MHz;
插入功率增益11dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz。
