型号

RE200B-P

灵敏元面积

2.0×1.0mm²

基片材料

硅

基片厚度

0.5mm

工作波长

7-14μm

平均透过率

＞75%

输出信号

＞2.5V

(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)

噪声

＜200mV

(mVp-p) (25℃)

平衡度

＜20%

工作电压

2.2-15V

工作电流

8.5-24μA

(V_D=10V,Rs=47kΩ,25℃)

源*电压

0.4-1.1V

(V_D=10V,Rs=47kΩ,25℃)

工作温度

-20℃- +70℃

保存温度

-35℃- +80℃

视场

139°×126°

说明

该传感器采用热释电材料*化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，*了传感器的工作稳定性。

使用

1、上述特性指标是在源*电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到*佳光学设计。
3、*电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要*接错管脚