特性：
1、低导通电阻常闭型：内装有采用本公司独自开发的二重扩散选择掺杂质法（DSD)制作的MOSTET.
2、小模拟信号控制：PhotoMos继电器具有很低的闭路偏置电压，要用于微小模拟信号控制而无失真。
3、高灵敏度，低导通电阻：5mA的输入电流能控制*大0.12A的负载电流。50欧（AQV414E)的低导通电阻，同于无金属触头所以能*地动作。4、低无路漏电电流：SSR有几个uA的开路漏电电流，而PhotoMos继电器即便在额定400V（AQV414E）的负载电压时也*有100pA的漏电电流。
5、提供耐高*缘电压5000V型：内部的输入，输出端间*缘距离大于0.4mm,*合IEC950(高*缘型）标准。用途：电话设备（拨号，揿按）和测量仪器。
AQV414,AQV414A,AQV414AX,AQV414AZ
AQV414E,AQV414EA,AQV414EAX,AQV414EAZ
AQV414EH,AQV414EHA,AQV414EHAX,AQV414EHAZ.

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