*1J/*1D
中光
DO-214AC
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
类型:原厂制造商
电话:
0519-69806757
0519-69806757
0519-69806757
手机:
18861495296
13511665920
联系人:芮小姐/王先生/胡小姐
邮箱:350249299@qq.com
地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号
∟ 贴片/片式/SMD二极管(211)∟ 整流二极管(115)∟ 稳压二极管(372)∟ 开关二极管(27)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(154)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(2)∟ 检波二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(84)∟ 瞬态(变)抑制二极管(36)∟ 触发二极管(3)∟ 肖特基二极管(96)∟ 其他二极管(7)
产品详情:
是否提供**:是 产品类型:*快速整流二*管 是否*:否
品牌:GOOD-ARK型号:*1G/*1J 材料:硅(Si)
整流二*管常用参数
(1)*大平均整流电流IF:指二*管长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二*管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二*管的IF为1A。
(2)*高反向工作电压VR:指二*管两端允许施加的*大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二*管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR为1000V
(3)*大反向电流IR:它是二*管在*高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二*管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二*管质量越好。
(4)击穿电压VR:指二*管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。
(5)*高工作频率fm:它是二*管在正常情况下的*高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率*过fm,则二*管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二*管的fm为3kHz。
(6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
(7)*偏压电容CO:指二*管两端电压为*时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二*管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二*管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流二*管的特性
整流二*管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。整流二*管流电流较大,多数采用面接触性料封装的二*管。整流二*管的外形如图1所示,另外,整流二*管的参数除前面介绍的几个外,还有*大整流电流,是指整流二*管长时间的工作所允许通过的*大电流值。它是整流二*管的主要参数,是选项用整流二*管的主要依据。
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