BZX84*7W
中光
SOT-323
无铅*型
贴片式
散装
类型:原厂制造商
电话:
0519-69806757
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手机:
18861495296
13511665920
联系人:芮小姐/王先生/胡小姐
邮箱:350249299@qq.com
地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号
∟ 贴片/片式/SMD二极管(211)∟ 整流二极管(115)∟ 稳压二极管(372)∟ 开关二极管(27)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(154)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(2)∟ 检波二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(84)∟ 瞬态(变)抑制二极管(36)∟ 触发二极管(3)∟ 肖特基二极管(96)∟ 其他二极管(7)
BZX84*7W齐纳二*管参数:
功耗:200mW
工作温度:-55℃~150℃
表面材料:硅
BZX84C系列二*管属性(I=10mA:V=0.9v):
二*管按构造分类:
半导体二*管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二*管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二*管分类如下:
点接触型二*管
点接触型二*管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二*管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。
键型二*管
键型二*管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二*管和合金型二*管之间。与点接触型相比较,虽然键型二*管的PN结电容量稍有增加,但正向特性*优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二*管中,熔接金丝的二*管有时被称金键型,熔接银丝的二*管有时被称为银键型。
合金型二*管
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
扩散型二*管
在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。*近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型二*管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其*要的部分,把不*要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现*面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型二*管
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上*选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以*为是稳定性好和寿命长的类型。*初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二*管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型二*管
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把*制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二*管。
外延型二*管
用外延面长的过程制造PN结而形成的二*管。制造时需要*高*的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二*管。
肖特基二*管
基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其*是:开关速度*快:反向恢复时间trr*地短。因此,能制作开关二*和低压大电流整流二*管。
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