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M*Z5235B二*管,M*Z5235B稳压二*管

供应M*Z5235B二*管,M*Z5235B稳压二*管
供应M*Z5235B二*管,M*Z5235B稳压二*管
  • 型号/规格:

    M*Z5235B

  • 品牌/商标:

    中光

  • 封装形式:

    SOT-23

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    散装

普通会员
商品信息 更新时间:2012-03-17

  M*Z5235B稳压二*管特性:

  表面材料:硅

  封装:SOT-23

  功耗:350mW

  M*Z52系列稳压二*管的参数(T=25℃,V=0.9v,I=10mA):

 

  二*管的工作原理

  晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到*程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二*管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

联系方式

企业名:常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

类型:原厂制造商

电话: 0519-69806757
0519-69806757
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手机:
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13511665920

联系人:芮小姐/王先生/胡小姐

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邮箱:350249299@qq.com

地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号

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