一、白光贴片二*管参数：

　　晶体管类型: NPN
　　电流 - 集电* (Ic)（*大）: 200mA
　　电压 - 集电*发射*击穿（*大）: 40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大）: 300mV @ 5mA, 50mA
　　在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
　　功率 - *大: 330mW
　　频率 - 转换: 300MHz
　　安装类型: 表面贴装
　　封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

二、合金型二*管：
　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
　　扩散型二*管
　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。*近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

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