一、低压贴片二*管参数：

　　晶体管类型: NPN
　　电流 - 集电* (Ic)（*大）: 200mA
　　电压 - 集电*发射*击穿（*大）: 40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大）: 300mV @ 5mA, 50mA
　　在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
　　功率 - *大: 225mW
　　频率 - 转换: 300MHz
　　安装类型: 表面贴装
　　封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
　　供应商设备封装: SOT-23-3 (TO-236)
　　包装: 剪切带 (*)

 

二、产品优势：

　　*大整流电流是指二*管长期连续工作时允许通过的*大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度*过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二*管使用中不要*过二*管*大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二*管的额定正向工作电流为1A。

企业名：常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

类型：原厂制造商

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