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美格纳全系列场效应管

供应美格纳全系列场效应管
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  • 企业名:深圳市森晶焱科技电子有限公司

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商品信息 更新时间:2012-03-23


Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V
Lower RDS(ON) : 0.356 (T*.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R JC
R JA
Symbol Characteristic T*. Max. Units

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