LPCVD化学相沉积设备

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简单描述：

设备用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。

设备特点：设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。

LPCVD化学相沉积设备参数：

设备特点：设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。

主要技术指标：

★制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜

★温度400-900℃

★恒温区600 mm±0.5℃

★真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井

★控温器采用进口5吋触摸屏

★通入气体SiH4、NH3和N2

★进口质量流量计控制

★阀门用进口气动阀和减压阀

★动作顺序为PLC编程控制

★薄膜压力控制器加阀闭环控制压强。

联系方式

企业名：青岛育豪微电子设备有限公司

类型：生产企业

电话： 0532-87671566

手机：13864877323

联系人：陈先生

QQ：

邮箱：qdyuhao_chen@126.com

地址：山东青岛城阳区流亭工业园协荣路3号

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